A new kind of dev ice, Si-Ge heterojunction base hybrid mo de transistor, based on the conventional hybrid mode transistor, is proposed.
在常规混合模式晶体管的基础上提出一种新结构的器件—— Si- Ge异质结基区混合模式晶体管。
Copyright © mingxiaow.com All Rights Reserved.版权所有
本网站内容仅供参考,请以各学校实际情况为主!
工信部备案号:浙ICP备20019715号