The main problems are the low Etch Rate Selectivity causing Over etch on the top Oxide of Gate and the low Etch Rate Uniformit.
18微米技术侧壁(Spacer)工艺在栅极密集区域,栅极底部有斜坡的缺陷,指出了现有设备和工艺所遇到的一些问题,然后针对所面临的主要问题,即因为刻蚀速率选择比不够高而造成对栅极上方氧化膜的过刻蚀,同时,刻蚀速率均匀性偏低,造成中心区域Spacer形状过于倾斜,线宽过小的问题。