The influence of gate voltages on the temperature of LDMOS under ultra-high transient currents is studied.
研究LDMOS在一次雪崩击穿后的大电流区,栅压对器件内部温度的影响。
Copyright © mingxiaow.com All Rights Reserved.版权所有
本网站内容仅供参考,请以各学校实际情况为主!
工信部备案号:浙ICP备20019715号