An efficient,self-consistent method of Monte Carlo and Poisson equation is used to simulate the electrical characteristic of deep submicron metal-oxide-semiconductor field effect Transistor(MOSFET).
用蒙特卡罗-泊松方程自洽求解的方法,对深亚微米金属-氧化物-半导体场效应晶体管——MOSFET的电特性进行了模拟。
samnos transistor
自对准金属氮化物氧化物半导体晶体管
mnos transistor
金属氮化物氧化物半导体晶体管
metal-nitride-oxide-semiconductor field effect transistor
金属－氮化物－氧化物－半导体场效应晶体管
metal oxide semiconductor transistor
金属—氧化物—半导体晶体管金属氧化物半导体晶体管
self aligned gate mos
自对准栅金属氧化物半导体
MOST (Metal-Oxide-Semiconductor Transistor)
金属-氧化物半导体晶体管
floating gate transistor
浮栅金属氧化物半导体晶体管
pmos transistor
p 沟道金属氧化物半导体晶体管
high voltage most
高压金属氧化物半导体晶体管
vertical mos transistor
垂直型金属氧化物半导体晶体管
mos insulated gate transistor
绝缘栅金属氧化物半导体晶体管
MOSFET (metallic oxide semiconductor field effecttransistor)
金属氧化物半导体场效应晶体管
read-write MOSFET
读写金属氧化物半导体场效应晶体管
v groove mos transistor
v 槽型栅金属氧化物半导体晶体管
double diffused mos transistor
双扩散金属氧化物半导体晶体管
grooved gate mos transistor
v 型栅金属氧化物半导体晶体管
single device mos gate
单金属氧化物半导体晶体管式门电路
complementary mnos
互补金属氮化物氧化物半导体